CRECIMIENTO, PROPIEDADES ESTRUCTURALES, TÉRMICAS Y ÓPTICAS DEL Ag(In0.6Ga0.4)5Te8
Palabras clave:
Semiconductores de vacantes ordenadas, Brecha de energía, Reflectividad, Análisis Térmico Diferencial.Resumen
En el presente trabajo, el compuesto Ag(In 0.6 Ga 0.4 ) 5 Te 8 es obtenido por fusión directa de la mezcla estequiométrica de los elementos constituyentes. Los datos de difracción de rayos X en polvo, indexados con el programa TREOR 90, muestran un cristal de estructura tetragonal a temperatura ambiente, con parámetros de celda unidad de a=b= 6.1130 Å y c= 12.1736 Å. De acuer do con las medidas de Análisis Térmico Diferencial (ATD), este cristal presenta dos picos bien definidos de calentamiento y enfriamiento que no coinciden con el comportamiento esperado para el sistema de aleaciones Ag(In 1 - x Ga x ) 5 Te 8 . Se utilizaron medidas d e Reflectividad para estimar los valores de la brecha de energía a temperatura ambiente, una directa y otra indirecta, con valores de 1.39 y 1.12 eV, respectivamente. La conductividad del Ag(In 0.6 Ga 0.4 ) 5 Te 8 resultó ser tipo p.Descargas
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